6英寸高纯半绝缘SiC生长技术

发布时间：2023-01-15 12:23

　　利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸（1英寸=2.54 cm）高纯半绝缘（HPSI）SiC晶体生长。采用高温下通入HCl和H2的方法,对SiC粉料合成及晶体生长所使用的石墨件和石墨粉进行前处理,该方法可有效降低系统中N、B和Al等杂质的背景浓度,提高SiC晶体的电阻率。使用二次离子质谱（SIMS）法对获得的晶体进行杂质浓度检测。检测结果表明,N和Al的浓度均小于检测极限(分别为1×10¹⁶和1×10¹⁴ cm^-3),B的浓度为4.24×10¹⁴ cm^-3。对晶体进行切片和抛光后得到的晶片进行测试。测试结果表明,整个晶片所有测试点的电阻率均在1×10~8Ω·cm以上,微管密度小于0.2 cm^-2,X射线摇摆曲线半高宽为28 arcsec。使用该方法成功制备了6英寸高纯半绝缘4H-SiC晶体。 

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验方法
2 结果与讨论
    2.1 前处理对杂质的去除作用
    2.2 前处理工艺优化
    2.3 电阻率表征
    2.4 微管缺陷测试
    2.5 高分辨X射线摇摆曲线
3 结论



本文编号：3731044