InP表面氮化对Al 2 O 3 /InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响

发布时间：2023-01-31 03:27

　　采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N₂等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al₂O₃/InP金属氧化物半导体（MOS）电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表面自然氧化物的形成,改善界面质量,提高Al₂O₃/InP MOS电容的电学性能。氮化之后,在Al₂O₃/InP界面会形成一个约为0.8 nm厚的界面层,积累区频散由7.8%降低至3.5%,滞回由130减小至60 mV,界面缺陷密度由5×10¹²降低至2×10¹²cm^-2·eV^-1,边界缺陷密度由9×10¹¹降低至5.85×10¹¹V^-1cm^-2,栅漏电流由9×10^-5降低至2.5×10^-7

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【文章目录】：
1 试验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3733683