IGBT用硅外延片的优化与实现

发布时间：2023-02-12 16:35

　　绝缘栅双极型晶体管,简称IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种结合了功率场效应管和电力晶体管优点的新型复合半导体器件,是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。IGBT具有以下优势:(1)高输入阻抗,可采用通用低成本的驱动线路;(2)高速开关特性;(3)导通状态低损耗。是一种适用于中、大功率应用的电力电子器件,尤其适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统。本文主要研究IGBT用硅外延常压生长工艺,开发IGBT用硅外延的自掺杂抑制技术和微缺陷控制方法。论文详细阐述了在常压设备条件下,IGBT用硅外延生长的工艺优化技术,主要进行了以下几个方面的研究:1)从IGBT功率器件的结构入手,找出IGBT功率器件用硅外延的关键控制要素;2)通过对掺杂机理、扩散效应和自掺杂效应的研究,找到影响外延过渡区和电阻率均匀性的要素;3)用动态温控、动态淀积速率来化解自掺杂效应;4)通过对N/N⁺/P⁺结构理论模型的研究,得到N⁺层抑制高浓P型杂质对N^-外延层自掺杂效应的改...

【文章页数】：61 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 课题背景与意义
    1.2 国内外研究现状
    1.3 研究内容与设计指标
第二章 IGBT的基本结构及硅外延的生长技术概述
    2.1 IGBT基本结构
    2.2 IGBT基本工作原理
    2.3 IGBT用外延材料的要求
    2.4 硅外延技术概述
    2.5 本章小结
第三章 IGBT用硅外延的生长技术研究
    3.1 厚度非均匀性的研究
    3.2 电阻率非均匀性的研究
    3.3 外延生长设备
    3.4 外延材料优化
    3.5 本章小结
第四章 实验及结果分析
    4.1 测试设备及测试原理
    4.2 MSA测试系统管理
    4.3 结果及分析
    4.4 本章小结
第五章 总结与展望
    5.1 总结
    5.2 展望
参考文献
致谢



本文编号：3741442