Si/GaAs晶圆片键合热应力及其影响因素分析

发布时间：2023-02-18 15:50

　　分别利用Suhir双金属带热应力分布理论和有限元法研究了Si/GaAs晶圆片键合界面在退火过程中的热应力分布,并将热应力分布理论计算结果与有限元分析结果进行了对比验证,得到了一致的结论。根据计算分析结果,对晶圆片进行了结构热变形分析,并研究了不同因素对键合热应力的影响,提出了减小键合热应力的有效措施。

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 热应力模型和热应力的解析方程
2 结构有限元热分析
3 结构热变形分析
4 减小键合热应力的途径
    4.1 不同半径的键合结构热应力
    4.2 退火温度对键合热应力的影响
    4.3 Si和GaAs的厚度对键合热应力的影响
5 结论



本文编号：3745258