高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算（英文）
发布时间：2023-03-11 20:46
介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果。制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104。我们发现,p层载流子浓度是影响器件性能的重要参数。结合电场强度分布的分析,本文提出了一种估算p层载流子浓度的方法,进一步计算得到刚好雪崩击穿时的最大电场值为2.6 MV/cm,与以往GaN雪崩器件所报道的研究结果相似。最后,霍尔测试和SIMS测量p层载流子浓度的结果与模型计算的估算值吻合。
【文章页数】：7 页
【文章目录】：
1 Introduction
2 Experiments
2.1 Materials
2.2 Device Fabrication
3 Results and Discussion
4 Conclusion
本文编号：3760214
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1 Introduction
2 Experiments
2.1 Materials
2.2 Device Fabrication
3 Results and Discussion
4 Conclusion
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