一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS

发布时间：2023-03-22 23:49

　　为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dV_ds/dt和电流斜率dI_d/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。

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【文章目录】：
0 引 言
1 器件设计背景
2 器件结构及原理
3 仿真结果与分析
4 结 论



本文编号：3767839