传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究

发布时间：2023-03-26 19:02

　　为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片与体硅芯片的抗扰度阈值曲线的变化趋势基本相同,但在个别引脚和频段内SOI芯片具有更强的抗干扰能力。在不同工作温度下进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片在高温环境下具有较强的抗干扰能力。

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【文章目录】：
引言
1 SOI技术及其优势
2 电磁抗扰度测试
    2.1 测试芯片
        2.1.1 芯片简介
        2.1.2 测试引脚及失效判据
    2.2 不同工艺下的抗扰度测试
        2.2.1 测试平台与测试流程
        2.2.2 测试结果
3 温度效应抗扰度测试
4 结论



本文编号：3771528