p-i-nInP/In 0.53 Ga 0.47 As/InP探测器结构优化

发布时间：2023-03-30 05:46

　　利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_0.53Ga_0.47As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层厚度的增加而增大;当吸收层掺杂浓度不断上升时,器件暗电流不断降低,当掺杂浓度上升到2×1017/cm3时,暗电流达到最低值.本文还研究了p-i-n型探测器的瞬态响应,探究了响应速度与反偏电压之间的关系,发现提高反偏电压能减小探测器响应时间.

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【文章目录】：
0 引言
1 In0.53Ga0.47As/InP p-i-n光电探测器的仿真模型与结构
2 结果与讨论
    2.1 仿真与实验结果的拟合
    2.2 吸收层不同掺杂浓度下的暗电流
    2.3 吸收层不同厚度下的暗电流
    2.4 不同反偏电压下的瞬态响应
3 结论



本文编号：3775319