在CMP过程中新型抑制剂对Cu/Ru电偶腐蚀的影响

发布时间：2023-04-07 00:59

　　研究了一种新型抑制剂(2,2′-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇,TT-LYK)在高碘酸钾(KIO₄)体系下对Cu/Ru电偶腐蚀的影响。通过电化学实验研究了抑制剂对Cu/Ru电偶腐蚀的抑制情况,使用X射线光电子能谱(XPS)分析了抑制剂在Ru表面的作用机理,使用原子力显微镜(AFM)观测抛光后晶圆的表面形貌。电化学测试结果显示,随着抛光溶液中抑制剂质量分数的升高,Cu和Ru之间的腐蚀电位差逐渐从730 mV降低到37 mV。新型抑制剂TT-LYK在Cu互连Ru阻挡层化学机械平坦化(CMP)中能够抑制Cu/Ru的电偶腐蚀。抑制剂TT-LYK与Ru发生反应,在Ru表面生成一层钝化膜,抑制了Cu和Ru之间的电偶腐蚀。抛光液中添加抑制剂TT-LYK后,抛光后Cu的表面粗糙度由5.94 nm降低到0.39 nm,Ru的表面粗糙度由5.12 nm降低到0.24 nm。

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
    1.1 材料的制备
    1.2 电化学实验
    1.3 表面效果实验
    1.4 抛光实验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3784766