InAs/InGaAs/GaAs双势垒量子点—量子阱光电特性的研究

发布时间：2023-04-17 02:08

　　与传统的晶态体材料相比,半导体结构具有许多新颖的物理性质,蕴藏着丰富的物理效应。基于这些物理性质和物理效应,可以设计与制作高性能电子输运器件和光电子器件。建模仿真有助于了解光电器件新颖的物理特性,对器件的研制与改进起到了非常重要的作用,而器件的实际测试验证则是必不可少的重要环节。由于双势垒的作用,双势垒量子点-量子阱的基态能级将变得更低,因此具有此结构的光电探测器拥有更低的暗电流。并且量子点由于应变弛豫,量子点也呈现了更好的光学特性。本文应用Crosslight Apsys光电器件仿真软件,在前人研究的基础上,学习研究双势垒量子点-量子阱光电器件模型,进一步进行光电流瞬态谱,EL谱特性研究,研究量子点结构对光电特性的影响。给器件模型施加光脉冲,仿真了光电流随光脉冲的瞬态响应。进一步讨论光脉冲消失后,量子阱和量子点存储的电子、空穴衰变过程。光电器件在低温下会呈现新的特性。因此本文建立了一个模型来预测不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性。预测结果表明该模型具有高的准确性。

【文章页数】：52 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 论文研究背景及意义
    1.2 本文的主要研究方法
    1.3 本文的研究内容和主要结构
    1.4 本文创新点
    1.5 课题来源
第二章 半导体光电探测器研究基础
    2.1 半导体光电探测器概述
        2.1.1 主要分类
        2.1.2 主要性能参数
        2.1.3 发展趋势
    2.2 低维量子效应半导体光电探测器
    2.3 本章小结
第三章 InAs/InGaAs/GaAs光电器件建模仿真
    3.1 器件物理模型基本方程
    3.2 器件物理模型仿真工具
    3.3 双势垒量子点-量子阱光电器件的建模
    3.4 双势垒量子点-量子阱光电器件的仿真与分析
    3.5 本章小结
第四章 InAs/InGaAs/GaAs光电探测器Ⅰ-Ⅴ低温建模
第五章 总结与展望
    5.1 工作总结
    5.2 工作展望
参考文献
攻读学位期间发表学术论文
致谢



本文编号：3792349