一种利用高介电常数薄膜改进的快速关断SOI-LIGBT

发布时间：2023-04-22 13:24

　　介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT)。一方面,覆盖在硅表面的高介电常数薄膜具有引导电通量的作用,可优化器件漂移区的表面电场分布,在器件耐压等级不变的情况下,节约芯片面积,提高导电能力。另一方面,采用高介电常数薄膜有利于减少漂移区中存储的非平衡载流子,可缩短器件的关断时间,降低器件的关断损耗。仿真结果表明,相比于传统500 V等级的SOI-LIGBT,利用高介电常数薄膜改进的新器件可使器件长度缩短15%,导通压降降低10%,关断时间缩短42%,关断损耗减小61%。

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【文章目录】：
0 引 言
1 器件结构与参数
2 仿真结果与讨论
    2.1 High-k薄膜对器件耐压时表面电场的优化
    2.2 High-k薄膜对器件关断过程的改进
    2.3 器件VCE(SAT)与导通损耗(Eoff)的折中关系
3 结 论



本文编号：3797724