一种超低功耗基准电压源设计

发布时间：2023-04-29 23:48

　　设计了一种用于超低功耗线性稳压器电路的基准电压源,研究了NMOSFET阈值电压的温度特性。采用耗尽/增强型电压基准结构,显著降低了功耗。采用共源共栅型结构,提高了电源抑制比。设计了数模混合集成熔丝修调网络,优化了输出电压精度和温漂。电路基于0.35μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,在2.2～5.5 V输入电压下,基准电压为814 mV,精度可达±1%。在-40℃～125℃范围内,温漂系数为2.52×10^-5/℃。低频下,电源抑制比为-99.17 dB,静态电流低至27.4 nA。

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【文章目录】：
0 引 言
1 传统带隙基准源
2 NMOS管阈值电压的温度特性
3 超低功耗基准电压源的设计
    3.1 耗尽/增强型基准电压源
    3.2 超低功耗基准电路的设计
4 仿真结果与分析
5 应用实例
6 结 论



本文编号：3805989