光子晶体结构优化对提高LED光提取效率研究
发布时间:2023-05-12 21:08
为了提高GaAsInP发光二极管的发光提取效率,在本文中,将其电流扩展层上生长光子晶体刻蚀深度作为损失的重要因素,并作为一个测试案例,分析波导在板中蚀刻的三个不同的气孔形状作为损失的关键因素,并且计算这些损耗以便在这种结构中达到更高的效率。并通过利用PhC板中的有效折射率建模和研究它们的传输来证明PhC在LED表征中的能力。最后,结果表明,仿真结果与实验数据吻合良好,有限元建模中的大量传输表明,它可以提高超过10%的光提取效率,提高了LED的效率。
【文章页数】:6 页
【文章目录】:
1 引言
2 光子晶体平板
2.1 光子晶体平板波导
2.2 光子晶体LED
3 有效指数和平面外损失
4 仿真实验
4.1 仿真设置
4.2 性能评估
5 结论
本文编号:3814637
【文章页数】:6 页
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1 引言
2 光子晶体平板
2.1 光子晶体平板波导
2.2 光子晶体LED
3 有效指数和平面外损失
4 仿真实验
4.1 仿真设置
4.2 性能评估
5 结论
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