芴基D-A型小分子的设计及其存储性能
发布时间:2023-05-18 21:44
基于有机场效应晶体管的存储器件被广泛应用,是由于其具有容易堆叠大规模集成电路,逻辑信号非破坏性读出以及驻极体材料的溶解度较好等优势。存储器通过驻极体中的驻极体材料来存储电荷,驻极体材料的性质很大程度上决定着存储性能的好坏,所以驻极体材料在OFET存储器中占据着非常重要的地位。在现有驻极体材料中,由于具有丰富的结构灵活性,低成本,溶液可加工性和三维堆叠能力等吸引人的特性,具有电双稳态行为的D-A聚合物基存储器件近来受到相当大的关注,D/A单元的引入,引起分子内电荷转移,使得分子具有良好的存储能力。然而,与聚合物相比,小分子具有明确的分子结构,低成本、简单,可设计性、易于纯化、可重现性、调控电子和结构等特性,因此,有机小分子作为数据存储的研究具有现实意义。而D/A单元的比例、D/A单元处于侧链或主链、D/A单元的排列顺序、D/A单元给电子或吸电子能力的差异等这些因素都能引起存储性能的差异。因此为了探究D/A单元对存储器件性能的影响,本文设计合成了一系列的D-A小分子,以探究不同的存储器件性能。第二章通过Suzuki偶联反应、傅克反应构筑以吸电子基团苯并噻二唑为桥,H型的末端基团接枝富电子芳...
【文章页数】:81 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
abstract
第一章 绪论
1.1 有机场效应晶体管存储器的研究现状
1.2 有机场效应晶体管存储器有机驻极体材料的发展现状
1.2.1 有机场效应晶体管存储器的聚合物材料
1.2.2 有机场效应晶体管存储器的D-A聚合物材料
1.2.3 有机场效应晶体管存储器的D-A小分子材料
1.3 本论文的设计思想
第二章 端基接枝给体单元的芴基H型D-A材料
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 实验原料和试剂
2.2.2 综合实验表征
2.2.3 合成实验
2.3 结果与讨论
2.3.1 H型D-A有机小分子的结构表征
2.3.2 H型D-A有机小分子的热表征
2.3.3 H型D-A有机小分子的光谱表征
2.3.4 H型D-A有机小分子的电化学表征
2.3.5 H型D-A有机小分子的发光性质及荧光寿命表征
2.3.6 H型D-A有机小分子的晶体管存储性质表征
2.4 本章小结
第三章 端基接枝受体单元的H型材料
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 实验原料和试剂
3.2.2 综合实验表征
3.3 结果与讨论
3.3.1 H-4CHO小分子的合成
3.3.2 H-4CHO小分子的结构表征
3.3.3 H-4CHO小分子的热表征
3.3.4 H-4CHO小分子的光谱表征
3.3.5 H-4CHO小分子的电化学表征
3.3.6 H-4CHO小分子的存储表征
3.4 本章小结
第四章 日字型D-A格子的合成及光电性质
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 实验原料和试剂
4.2.2 综合实验表征
4.3 结果与讨论
4.3.1“日”字型D-A格子的合成与结构表征
4.3.2“日”字型D-A格子的热表征
4.3.3“日”字型D-A格子的光谱表征
4.3.4“日”字型D-A格子的电化学表征
4.3.5“日”字型D-A格子的存储表征
4.4 本章小结
第五章 总结与展望
参考文献
附图
附录3 攻读硕士学位期间申请的专利
附录4
致谢
本文编号:3819051
【文章页数】:81 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
abstract
第一章 绪论
1.1 有机场效应晶体管存储器的研究现状
1.2 有机场效应晶体管存储器有机驻极体材料的发展现状
1.2.1 有机场效应晶体管存储器的聚合物材料
1.2.2 有机场效应晶体管存储器的D-A聚合物材料
1.2.3 有机场效应晶体管存储器的D-A小分子材料
1.3 本论文的设计思想
第二章 端基接枝给体单元的芴基H型D-A材料
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 实验原料和试剂
2.2.2 综合实验表征
2.2.3 合成实验
2.3 结果与讨论
2.3.1 H型D-A有机小分子的结构表征
2.3.2 H型D-A有机小分子的热表征
2.3.3 H型D-A有机小分子的光谱表征
2.3.4 H型D-A有机小分子的电化学表征
2.3.5 H型D-A有机小分子的发光性质及荧光寿命表征
2.3.6 H型D-A有机小分子的晶体管存储性质表征
2.4 本章小结
第三章 端基接枝受体单元的H型材料
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 实验原料和试剂
3.2.2 综合实验表征
3.3 结果与讨论
3.3.1 H-4CHO小分子的合成
3.3.2 H-4CHO小分子的结构表征
3.3.3 H-4CHO小分子的热表征
3.3.4 H-4CHO小分子的光谱表征
3.3.5 H-4CHO小分子的电化学表征
3.3.6 H-4CHO小分子的存储表征
3.4 本章小结
第四章 日字型D-A格子的合成及光电性质
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 实验原料和试剂
4.2.2 综合实验表征
4.3 结果与讨论
4.3.1“日”字型D-A格子的合成与结构表征
4.3.2“日”字型D-A格子的热表征
4.3.3“日”字型D-A格子的光谱表征
4.3.4“日”字型D-A格子的电化学表征
4.3.5“日”字型D-A格子的存储表征
4.4 本章小结
第五章 总结与展望
参考文献
附图
附录3 攻读硕士学位期间申请的专利
附录4
致谢
本文编号:3819051
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3819051.html