硅基异质集成技术发展趋势与进展

发布时间：2023-05-27 05:21

　　目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道。本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义。

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
0 引 言
1 硅基异质集成向晶体管级-亚晶体管级集成发展
2 单片3D SoC达到新阶段
    2.1 单片3D SoC的技术细节
    2.2 最新进展和最终目标
    2.3 影响意义
3 SiGe HBT迈向太赫兹领域
    3.1 向太赫芝频段发展
    3.2 军事应用价值
4 硅光子技术
5 单片集成电磁微系统
6 结束语



本文编号：3823973