一种低插入损耗高隔离度射频开关的设计

发布时间：2023-06-04 00:44

　　基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并制作了一款50Ω吸收式单刀双掷射频开关。开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz～8 GHz频率内具备优异的隔离度及插入损耗性能。采用两级开关结构用于提高隔离度,并通过将电源管理电路的晶体管偏置在亚阈值区域以达到超低的功耗。测试结果表明,在6 GHz频点的插入损耗为0.55 dB,隔离度为53 dB,反射系数为-15 dB,0.1 dB压缩点的输入功率为33 dBm,而功耗不足300μW。该RF开关电路非常适用于4G/5G无线基础设施、卫星通信终端设备以及其他高性能射频应用系统。

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【文章目录】：
0 引言
1 电路设计
    1.1 整体电路
    1.2 带隙基准及线性稳压器电路
    1.3 环形振荡器电路
    1.4 非交叠时钟信号产生电路
    1.5 负压电荷泵电路
    1.6 电平转换器电路
    1.7 射频开关电路
2 测试结果
3 结论



本文编号：3830354