非晶AlBN介质薄膜的制备及相关特性研究

发布时间：2023-10-29 19:57

　　采用脉冲激光沉积(PLD)技术在GaN(002)上沉积非晶AlBN介质薄膜。利用X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等技术分别对介质薄膜的晶体结构、成分进行表征,并采用导电原子力显微镜(CAFM)以及I-V等测试手段对不同厚度薄膜的电学性质进行测试。结果表明:不同厚度的AlBN介质薄膜均为非晶,薄膜中B含量约为6.7%(原子分数)。厚度为3 nm和18 nm的AlBN介质薄膜的表面粗糙度(R_q)分别为0.209 nm和0.116 nm,薄膜表面平整均匀,18 nm薄膜施加±10 V电压时,没有出现明显的漏电流。但在金属-介质-金属(MIM)结构中,18 nm薄膜结构中出现较大漏电流,漏电流密度在-2 V时约为-2×10^-4 A/cm²。

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【文章目录】：
1 实验材料与方法
2 结果与分析
    2.1 结构与成分表征
    2.2 电学性能表征
3 结论



本文编号：3858765