GaN基高压发光二极管的设计和优化

发布时间：2023-12-10 08:19

　　随着氮化镓(GaN)基发光二极管(light-emitting diode,LED)的效率、亮度、寿命等参数的进一步提升和成本的持续下降,GaN基LED正在逐渐取代传统光源在通用照明、液晶显示器背光源等领域的应用。为了增大LED的可应用性和应用范围,我们往往需要加大LED的注入电流或发光面积以提高LED的功率,然而这种操作会导致LED的电流扩展性能和发光效率大大下降。高压LED是一种集成式芯片,将一块芯片分割成数个互联的发光单元,使得LED在高压低电流的状态下工作,与同样的传统大功率LED相比,高压LED的电流扩展性能和发光效率得到了提高。本文在提高GaN基高压LED的光电性能,主要的设计参数的优化问题上进行了深入的研究,主要研究内容如下:(1)针对粗化p-GaN技术存在的电极色差问题,设计了一个优化的粗化p-GaN技术,既可以提高GaN基LED的光提取效率还可以避免一般的粗化p-GaN技术存在的色差问题。(2)针对GaN基LED的电流扩展瓶颈,设计了叉指型电极结构,在传统焊盘和叉指型两种电极结构的仿真对比中,证明了叉指型电极结构在提高GaN基LED的电流扩展能力上的优越性;针对GaN...

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【学位级别】：硕士

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摘要
Abstract
第1章 绪论
    1.1 本课题的研究背景与意义
    1.2 LED简介
    1.3 GaN基高压LED简介
    1.4 GaN基高压LED的研究现状
    1.5 本课题的主要研究内容
第2章 优化的粗化p-GaN技术
    2.1 实验原理
    2.2 样品制备
    2.3 结果分析
    2.4 本章小结
第3章 GaN基高压LED电学性能的研究
    3.1 电极结构的设计
    3.2 正向漏电流研究
    3.3 本章小结
第4章 隔离沟槽的形态对GaN基高压LED光电性能的影响
    4.1 实验原理
    4.2 样品制备
    4.3 结果分析
    4.4 本章小结
第5章 交流GaN基高压LED的设计优化
    5.1 实验原理
    5.2 样品制备
    5.3 直流和交流GaN基高压LED的对比分析
    5.4 交流高压LED的设计优化
    5.5 本章小结
第6章 总结
参考文献
附录:攻读硕士期间取得的研究成果
致谢



本文编号：3872131