Cl 2 /Ar/O 2 环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究

发布时间：2024-01-18 18:55

　　自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl₂/Ar/O₂环境下,研究控制刻蚀气流组成成分,刻蚀气流总速率等不同的刻蚀条件对于GaAs材料刻蚀速率的影响。实验表明,当刻蚀气流的成分不变的情况下,GaAs的刻蚀速率随着总刻蚀气流速率的增加而增加。刻蚀孔径的大小和Cl₂的含量多少也会影响GaAs的刻蚀速率。当O₂的含量在5%左右或者大于5%的实验中,GaAs材料的刻蚀表面的粗糙度几乎没有被刻蚀所影响。同时,给出了实验现象的简要分析和解释。

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【文章目录】：
1 实验
2 实验结果及讨论
3 结论



本文编号：3879834