基于砷化镓晶体管的1.35～2.0GHz低噪声放大器

发布时间：2024-01-21 09:29

　　低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)是接收机系统的关键器件,其性能决定了接收机系统的噪声温度和对微弱射电信号的放大能力。采用Avago公司砷化镓(GaAs)工艺的pHEMT ATF-54134研制了一款可工作在1.35～2.0 GHz频率范围内的低噪声放大器。该放大器采用两级拓扑结构,单电源自偏置供电,典型增益28 dB,典型噪声温度35 K,输入回波损耗优于-10 dB,输出回波损耗优于-15 dB,输入1 dB压缩点为-13 dBm。该放大器除了可用于对中性氢、脉冲星和羟基进行观测的射电望远镜接收机以外,还可用于电波环境监测系统。

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【文章目录】：
1 电路设计
    1.1 最小噪声匹配及偏置工作点
    1.2 电路图仿真
2 低噪声放大器制作和测试
    2.1 印制电路板工艺
    2.2 低噪声放大器测试结果
3 结 论



本文编号：3881713