二元组合材料芯片电化学性能的高通量表征

发布时间：2024-01-23 20:50

　　尝试了利用丝束电极方法(wire beam electrode,WBE)对Cu-Cr,Ni-Cr系二元成分连续分布组合材料芯片的腐蚀电位、电偶电流密度等电化学性能进行了高通量测试和表征,并与常规电化学方法(交流(AC)阻抗、电偶腐蚀实验)的结果进行了对比。丝束电极方法测试二元组合材料芯片的结果表明,对于Cu-Cr系二元组合材料芯片而言,随着组合材料芯片中Cr含量的不断增加,腐蚀电位不断正移,电偶电流密度不断减小,耐蚀性能增强;对于Ni-Cr系二元组合材料芯片而言,随着组合材料芯片中Cr含量的不断增加,腐蚀电位不断正移,耐蚀性能增强。同时,电偶电流密度也随着Cr含量的增加而增大,这主要与Cr含量较高的芯片区域中出现第二相有关。丝束电极方法在100 s内就完成了对二元组合材料芯片的高通量电化学测量,且与常规电化学方法测试的结果一致,证明了丝束电极方法作为一种新的高通量电化学表征方法具有可行性。

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图10Cu-Cr组合材料芯片浸泡在NaCl溶液前后的微观形貌

图8Cu-Cr组合材料芯片在0.1mol?L-1的NaCl溶液浸泡一定时间的腐蚀电位和电偶电流密度分布图

图9Ni-Cr组合材料芯片在0.1mol?L-1的NaCl溶液浸泡一定时间的腐蚀电位和电偶电流密度分布图

图64种不同组分Ni-Cr薄膜形成电偶对的电偶电流密度随时间变化曲线图

本文编号：3883340