金属/氮化镓复合材料的制备及性能研究

发布时间：2024-01-25 09:45

　　氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体材料,其带隙宽度可高达3.4 eV,因其具有较为优异的光学特性,在蓝光LED等发光器件中具有巨大的应用潜力。此外,GaN本身的晶体结构特性也使其在高温、高频、高压下支持许多强电学机制在各种传感、大功率及高频微波器件中稳定运行,因此对GaN材料进行功能化的构筑有助于提高其应用价值。本论文基于氢化物气相外延(HVPE)法生长5μm厚的GaN材料为研究对象,探讨了金属与GaN复合材料的制备及其在电化学传感和拉曼光谱中的应用。具体研究内容如下:1.以绿色环保的非水溶液离子液体作为刻蚀剂,采用光电化学湿法刻蚀方法对GaN材料表面进行多孔纳米结构的构筑,具体研究了不同刻蚀电压、刻蚀时间对多孔形貌的影响,对刻蚀机理进行了详细的探讨。得到的最佳实验条件为7 V、15 min。随后,在三电极系统中,以多孔GaN作为工作电极,通过电化学手段在多孔GaN表面进行小尺寸贵金属纳米粒子的负载。以贵金属Pt为例,实验结果表明通过循环伏安法可以有效的实现小粒径纳米粒子的制备。2.采用一种简单的两步电化学沉积法,在多孔GaN电极上制备了金属Pt和Pd的纳米复合物(Pd-Pt),成功...

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【学位级别】：硕士

图1.1纤锌矿GaN晶体结构示意图

图1.2GaN晶体纤锌矿晶胞结构示意图

图1.3Pt-PbNCs不同反应时间的透射电子显微镜(TEM)图和生长机理示意图

图1.4AuNPs作为载体的各种应用

本文编号：3884590