不同晶型二氧化钛单晶薄膜的制备及其特性研究

发布时间：2024-02-04 03:26

　　第三代半导体材料即宽禁带半导体,与第一代和第二代半导体相比具有宽带隙、高击穿场强、高热导率等特点,可满足现代电子技术对高压、高温、大功率及强辐射等恶劣条件的新要求。尤其在透明光电子器件领域,宽禁带半导体由于具有优良的光学性能,在透明薄膜晶体管、平面显示、紫外探测器、发光二极管、半导体激光器等领域有着极其广泛的应用前景。凭借其优越的性能和巨大的市场前景,宽禁带半导体已成为全球半导体市场争夺的焦点。二氧化钛(TiO₂)是一种宽禁带透明氧化物半导体,禁带宽度在3.0 eV以上,具有物理化学性质稳定、安全无毒、储量多、成本低等优点,近年来在物理、化学、医学和功能材料等领域得到了广泛的关注与研究。此外,由于TiO₂折射率高,在可见光和近红外光区具有优良的光学透过率等特点,在透明光电器件领域有很大的应用前景。采用传统的薄膜制备工艺如溅射、电子束蒸发、溶胶凝胶等方法制备的TiO₂薄膜多为多晶或纳米结构,结晶质量比较差,薄膜性能不稳定。TiO₂主要有三种结构:锐钛矿(anatase)、金红石(rutile)和板钛矿...

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１－２－１三种不同晶型Ｔｉ０２晶格结构示意图：（ａ）板钛矿、（ｂ）金红石、（ｃ）锐１－２－１?Ｔｈｒｅｅ?ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ?ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ?ｏｆ?Ｔｉ〇２：?（ａ）?ｂｒｏｏｋｉｔｅ，?（ｂ）?ｒｕｔｉｌｅ，?（ｃ）?ａｎａ化钛在自然界中有三种晶体结构，分....

图２－１－１?ＭＯＣＶＤ方法反应过程示意图??Ｆｉｇ．?２－１－１?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｒｅａｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｉｎ?ＭＯＣＶＤ??１８??

图２－１－１?ＭＯＣＶＤ方法反应过程示意图??Ｆｉｇ．?２－１－１?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｒｅａｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｉｎ?ＭＯＣＶＤ??１８??

图２－１－２本论文所使用的ＭＯＣＶＤ设备照片??Ｆｉｇ．?２－１－２?Ｔｈｅ?ｐｈｏｔｏ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＭＯＣＶＤ?ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ?ｕｓｅｄ?ｉｎ?ｔｈｉｓ?ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ??

?山东大学博士学位论文???２．１．２本论文所用的ＭＯＣＶＤ系统??本论文所采用的系统是国产定制的立式高温高真空ＭＯＣＶＤ设备，其中干??泵、分子泵、蝶阀、不锈钢气路管道、阀门、惰性气体纯化器等主要部件全部进??口，质量流量控制器和压力控制器及其控制系统采用美国ＭＫＳ公司产品，由....

图２－１－３进样室与反应室??Ｆｉｇ．?２－１－３?Ｔｈｅ?ｄｅｌｉｖｅｒ?ｃｈａｍｂｅｒ?ａｎｄ?ｒｅａｃｔｉｏｎ?ｃｈａｍｂｅｒ??

山东大学博士学位论文???统??气路部分包括储存载气和反应气体的钢瓶、气体纯化器、金属有机??、气体输运管道和阀门等。对于１１０２薄膜的制备实验，系统采用??纯度Ｎ２，在经过惰性气体纯化器提纯之后其纯度可以达到??９％）。系统采用的反应气体为０２，纯度为５Ｎ。实验采用的Ｍ０源??....

本文编号：3895129