O 2 /(O 2 +Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V 2 O 5 薄膜缺陷类型的影响

发布时间：2024-02-25 04:09

　　利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol%V₂O₅(ZnO∶V)薄膜,研究了O₂/(O₂+Ar)流量比(0%⁸7.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响。研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中。ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(V_O)和间隙锌(Zn_i)杂化形成的复合体,两者比例随O₂/(O₂+Ar)流量比而变化。

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【文章目录】：
1 引言
2 实验
    2.1 薄膜的制备
    2.2 薄膜样品的测试
3 结果与讨论
    3.1 O2/(O2+Ar)流量比对Zn O∶V薄膜结构的影响
    3.2 Zn O∶V薄膜的XPS分析
    3.3 Zn O∶V薄膜的PL分析
4 结论



本文编号：3910056