太赫兹二极管检波器设计
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【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图3二极管去嵌结构(a)open.(b)short.(c)待测二极管.
法。该方法较好的实现了寄生参数的完整提取,但是迭代面临收敛性的问题,而且过程比较复杂。我们提出了一种单端口三结构参数提取方法[5],通过测量二极管三种辅助结构的单端口S参数,逐步完成二极管的寄生参数提龋由于二极管的阳极和阴极面积很小,很难直接测量二极管本身的S参数,所以采用将二极....
图4三种二极管辅助结构(a)Diodeopen.(b)Diodeshort.(c)Diodepinopen.
玫氖迪至思纳?问?耐?整提取,但是迭代面临收敛性的问题,而且过程比较复杂。我们提出了一种单端口三结构参数提取方法[5],通过测量二极管三种辅助结构的单端口S参数,逐步完成二极管的寄生参数提龋由于二极管的阳极和阴极面积很小,很难直接测量二极管本身的S参数,所以采用将二极管内嵌到GS....
图2-2肖特基结和PN结伏安特性
第二章肖特基二极管和检波器基本理论基二极管在阳极金属和半导体的接触面上形成一个内建场,外电子的扩散电流和漂移电流相互抵消,总电流为零;外加正电压弱,半导体侧的势垒减小,形成正向电流,而且随着电压增大,大;外加负电压的时候,内建场增大,半导体侧的势垒增大,反,肖特基二极管也具有单....
图2-4肖特基结阻抗变化曲线
01/2s(V)(V)(1)jjCCV建电压,Cj0为外加电压为零时候的结电容,表示1/20s()2epidjqNCS子电荷,epi为外延层的介电常数,Nd为掺杂浓度Cj的存在,随着频率升高,肖特基结的阻抗会急阻抗值随频率变化的曲线如图2-4所示,当....
本文编号:3918284
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