半导体型单壁碳纳米管的表面修饰及其取向排列研究

发布时间：2024-03-25 21:25

　　半导体型单壁碳纳米管(s-SWCNTs)因其独特的电学、光学、机械和热性能,在微纳米电子器件领域表现出很好的应用前景。由于分散过程简单、高效且高选择性,共轭聚合物选择性分散法成为目前分离高纯度s-SWCNTs的主要方法。高集成电路的实现要求碳管取向排列且具有高度均匀的密度和管间距,如何改善聚合物分散的电中性s-SWCNTs之间的缠绕聚集问题并实现SWCNTs取向薄膜的可控制备在很大程度上决定了其在电子领域的应用潜力。目前存在诸多用于表面活性剂分离的s-SWCNTs的取向排列的研究方法,但是现有的自组装方法很难实现电中性s-SWCNTs的大面积取向排列。本论文重点关注如何实现共轭聚合物PCz分离的高纯度s-SWCNTs的大面积连续取向排列,包括有机溶剂中PCz分离高纯度的s-SWCNTs,电中性s-SWCNTs表面电荷的修饰,“双液相”提拉法实现碳管的水平取向排列,基于碳纳米管取向薄膜的两端式电阻器和薄膜晶体管的制备。主要研究成果如下:1.通过电荷性稠环芳香分子实现PCz分离出的s-SWCNTs的表面电荷修饰。首先根据带电状态和分子构型对电荷修饰剂进行筛选,发现正电性的硫酸原黄素为最佳电...

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1-1（a）单壁碳纳米管的几何结构及其与电子结构的对应关系图

江南大学硕士学位论文和扶手椅型（30°），两者之间的结构差异如图1-1c所示[16]。从卷曲矢指数考虑，扶手椅型纳米管的n=m，而锯齿型中m=0。卷曲矢量的差s几何结构的不同，一旦手性指数确定了，其他属性如手性角和直径也随性指数（n,m）决定单根SWCNT具有不同的....

图1-2一束理想化的纳米管（在这样的管束中，单根管通过很强的π-π堆积作用捆绑在一起）

第一章绪论学的重要组成部分，因为这些过进一步基团的共价连接而产和机械性能之前，SWCNTs可Ts侧壁是由大量六元苯环组成面很容易通过π-π相互作用而吸共价修饰提供了研究基础。

图1-3SWCNT可能存在的结构缺陷[17]

化学的重要组成部分，因为这些结过进一步基团的共价连接而产生。子和机械性能之前，SWCNTs可以Ts侧壁是由大量六元苯环组成的面很容易通过π-π相互作用而吸附非共价修饰提供了研究基础。这样的管束中，单根管通过很强的π-nanotubes(Insuchbundles....

图1-4s-SWCNT分散过程的概述[20]

图1-4s-SWCNT分散过程的概述[20]Figure1-4Generaloverviewofthes-SWCNTdispersionprotocol[20].1）不同结构类型的聚合物年来，已发现的能够用于选择性分散高纯度s-SWCNT的共轭聚合物的前....

本文编号：3938864