GeSe 2 中强各向异性偏振相关的非线性光学响应

发布时间：2024-03-27 04:32

　　二硒化锗(GeSe₂)作为一种层状IV-VI族半导体,具有面内各向异性结构及宽能带间隙,表现出了独特的光、电及热学性能.本文利用偏振拉曼光谱和线性吸收谱分别对GeSe₂纳米片的晶轴取向和能带特性进行表征,并以此为依据采用微区I扫描系统研究了GeSe₂在共振能带附近的光学非线性吸收机制.结果表明,GeSe₂中非线性吸收机制为饱和吸收与激发态吸收的叠加,且对入射光偏振与波长均有强烈的依赖.近共振激发(450 nm)条件下,激发态吸收对偏振的依赖程度比较大,随着入射光偏振的不同,非线性调制深度可由4.6%变化至9.9%;而非共振激发(400 nm)时,该调制深度仅由7.0%变化至9.7%.同时,相比于饱和吸收,激发态吸收的偏振依赖程度受远离共振激发波长的影响而变化更大.

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本文编号：3940194