In 2 Se 3 纳米结构生长及性质研究

发布时间：2024-06-02 16:08

　　硒化锢(In₂Se₃)作为一种特殊的宽禁带Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体,具有很高的电阻率以及多个晶格相。由于其特殊的电学、光学特性被广泛应用于光探测器、太阳能电池以及随机相变存储器(PRAM)等器件领域。半导体In₂Se₃成为光电子学以及存储领域材料研究的热点。本文利用化学气相沉积(C VD)半导体工艺技术在硅片和氟晶云母衬底上分别成功制备了 In₂Se₃纳米线和In₂Se₃纳米片。利用表征手段如:扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱(EDS)、拉曼散射光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、文射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)以及透射-吸收光谱等对In₂Se₃纳米结构进行测试分析。主要结果如下:1.In₂Se₃纳米线基于CVD工艺以镀金的硅片作为衬底成功制备,其中Au在生长过程中起到催化剂的作用,通过Raman光谱表征确...

【文章页数】：55 页

【学位级别】：硕士

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摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 引言
    1.2 In₂Se₃材料简介
        1.2.1 In₂Se₃晶格的结构和性质
        1.2.2 In₂Se₃材料的应用
    1.3 硒化物纳米材料的应用
        1.3.1 光催化降解
        1.3.2 电化学氢存储
        1.3.3 光探测器
        1.3.4 太阳能电池
        1.3.5 相变随机存取存储器
    1.4 纳米材料合成研究进展
        1.4.1 气相合成法
        1.4.2 液相合成法
    1.5 本文主要研究内容
    参考文献
第二章 In₂Se₃纳米结构的制备和研究方法
    2.1 硒化铟纳米结构的工艺平台制备概述
    2.2 In₂Se₃纳米线制备
    2.3 In₂Se₃纳米片制备
    2.4 样品表征设备
    参考文献
第三章 In₂Se₃纳米线的性能表征
    3.1 In₂Se₃纳米线的形貌、成分分析
    3.2 In₂Se₃纳米线的晶体结构表征
    3.3 In₂Se₃纳米线表面电子结构分析
    3.4 In₂Se₃纳米线性质测试
    3.5 本章小结
    参考文献
第四章 In₂Se₃纳米片基本表征
    4.1 In₂Se₃纳米片的形貌、成分表征
    4.2 In₂Se₃纳米片的晶体结构表征
    4.3 In₂Se₃纳米片的生长机理
    4.4 In₂Se₃纳米片的光学特性
        4.4.1 In₂Se₃纳米片的PL谱
        4.4.2 In₂Se₃纳米片的透射-吸收谱
    4.5 本章小结
    参考文献
第五章 结论与展望
    5.1 主要结论
    5.2 研究展望
攻读硕士期间成果
致谢



本文编号：3987484