电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT

发布时间：2024-11-02 07:18

　　 研制了高电流增益截止频率（f_T）的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）再生长n⁺GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积（LPCVD）生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅。此外,还讨论了寄生效应对器件f_T的影响。测试结果表明,器件的栅漏电为3.8μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,f_T达到236 GHz。延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果。

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【部分图文】：

宋旭波等:电流增益截止频率为236GHz的InAlN/GaN高频HEMT櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶April2017SemiconductorTechnologyVol．42No．4277图3器件照片Fig.3P....

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本文编号：4009225