单晶硅高温压阻式压力传感器

发布时间：2024-11-02 21:16

　　 适于高温环境应用的压力传感器的相关研究工作备受关注。以注氧隔离(SIMOX)技术SOI晶圆为基础,探讨了单晶硅高温压阻式压力传感器芯片和封装结构设计,在传感器国家工程中心OEM压力传感器制作工艺的基础上,完成传感器研制与测试。结果表明,在50～300℃温度范围,研制的高温压力传感器具有很好的性能,传感器静态灵敏度大于29 mV/MPa,非线性误差小于0.25%F·S,重复性小于0.2%F·S,传感器灵敏度随温度升高而增大,非线性随温度增加而减小。研制的单晶硅高温压力传感器在军事和民用方面具有广阔的应用前景。

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【部分图文】：

冉系湫偷难棺枋酱?衅饔忻拦鶮ulite和Endevco的系列产品［6］。本文在SOI商用晶圆基础上，经过对敏感薄膜的仿真分析，设计了SOI结构敏感芯片，并在MEMS工艺基础上制备了敏感芯片，同时对制备过程中的关键工艺进行分析，最后对其进行不同载荷的性能测试，分析并比较了测试结果。....

冉系湫偷难棺枋酱?衅饔忻拦鶮ulite和Endevco的系列产品［6］。本文在SOI商用晶圆基础上，经过对敏感薄膜的仿真分析，设计了SOI结构敏感芯片，并在MEMS工艺基础上制备了敏感芯片，同时对制备过程中的关键工艺进行分析，最后对其进行不同载荷的性能测试，分析并比较了测试结果。....

传感器装到卡具上后,放入高温烘箱中,分别在50、100、150、200、250、300℃条件下,对4只传感器的静态特性进行多次重复测试,并采用最小二乘法对测试数据进行线性拟合。结果表明,在50～300℃温度范围内,设计制作的SOI结构单晶硅压力传感器具有较好的静态特性,灵敏度....

传感器非线性与温度关系如图6所示,可以看出4只传感器的非线性随温度增加而减小,这一结果和文献一致[7],即压阻效应的非线性随温度增加而减小。4只传感器中,力敏电阻阻值与温度的关系σ[110]如图7所示,50℃时,电阻值为4.6kΩ左右,在50～300℃范围内,电阻随温度线性....

本文编号：4010149