VDMOS结终端技术对比研究

发布时间：2017-06-02 19:11

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【摘要】：垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前常用的结终端技术的结构及工作原理,包括场限环技术、p+偏移技术、横向变掺杂技术、结终端扩展技术和RESURF技术。重点探讨了每种方法的优缺点,并指出几种结终端技术不同的设计难度、工艺控制和实现要点等。同时固定元胞设计,采用不同的结终端技术试制了600 V VDMOS产品,对比了采用不同结终端技术制作芯片的工艺制造以及成本,可为实际的制造生产提供理论指导。
【作者单位】： 深圳方正微电子;
【关键词】： 结终端 场限环(FLR)技术 p+偏移技术 横向变掺杂(VLD)技术 结终端扩展(JTE)技术 RESURF技术
【分类号】：TN386
【正文快照】： 0引言功率垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(vertical double-diffusion metal-oxide-semiconductor,VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中特定pn结的反偏击穿电压,在器件的内部(有源区),由于各个元胞之间是并联关系,因此当器件承担反向耐压时,各个元胞的横向电

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本文编号：416270