一种改善LTE应用功率放大器性能的设计

发布时间：2017-06-02 20:02

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【摘要】：针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的有源偏置电路以达到高线性度。此外,输出采用F类功率放大器谐波理论以获得高效率。该功放在工作电压为3.4 V,频率2.35 GHz处,分别使用连续波信号和10 MHz LTE调制信号输入测得:增益为27.5 d B,1 d B压缩点为30 d Bm,最高效率点达到46%;平均输出功率为28 d Bm时,无线接入邻道泄漏率为-38.4d Bc,功率附加效率为38%。
【作者单位】： 广东工业大学信息工程学院;
【关键词】： 三阶交调失真 级间谐波抑制 F类 功率放大器
【基金】：国家自然科学基金(500150058)
【分类号】：TN722.75;TN929.5
【正文快照】： 0引言 功率放大器芯片是移动收发系统中一个非常重要的部件,其性能直接影响到手机的通话质量、信号发射强度、电池续航能力等。射频收发系统对功率放大器的指标需求指功放输出级的性能要求,所以多级功率放大器最后一级的线性度对系统总体的线性度影响很明显。另一方面,随着通

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本文编号：416361