大功率LED封装界面层裂对界面传热性能的影响分析

发布时间：2017-06-02 20:12

  本文关键词：大功率LED封装界面层裂对界面传热性能的影响分析，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：对大功率LED封装器件进行了封装界面层裂的热仿真分析,在芯片粘结(DA)层上构建了不同的界面层裂模型,探究了不同层裂形状、位置及分布时界面层裂对芯片热传递的影响规律。结果表明:随着界面层裂面积的增加,LED芯片结温以14℃/mm~2以上的速率增大,层裂面积达到36%时,芯片最高温度为68.68℃,相比无层裂时升高了9.8%;并且界面层裂处于DA层的下界面比上界面对芯片温度分布影响更大;此外,针对同一界面的层裂缺陷,相对于边缘位置和中心位置,封装边角位置的层裂对整体LED封装热传输能力的阻碍作用更明显。
【作者单位】： 桂林电子科技大学机电工程学院;
【关键词】： 大功率LED 芯片粘结层 界面层裂 有限元分析 热仿真 传热性能
【基金】：国家自然科学基金资助(No.51366003) 广西研究生教育创新计划资助(No.YCBZ2015037) 广西中青年教师基础能力提升项目资助(No.KY2016YB148)
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种固态半导体发光二极管,自1993年日本的中村修二运用氮化镓(Ga N)和铟氮化稼(In Ga N)开发出了具有商业应用价值的蓝光LED以来,LED逐步应用于各种领域,如信号通信、室内照明、景观照明、屏幕显示和显示背光等。LED具有节能,环保,高

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本文编号：416414