串联晶闸管的同步触发技术研究

发布时间：2017-06-04 05:07

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【摘要】：晶闸管虽然通流能力强,但是耐压普遍不高,为了实现晶闸管的串联使用,利用MOSFET的快导通和通流能力强的特性,搭建了一套能够实现光纤控制多只晶闸管同步导通的强触发平台。以4只2.5 kV耐压晶闸管串联为例,在实验平台上研究了触发电流峰值和前沿对晶闸管导通特性的影响,提出了间接光触发系统的设计结构和晶闸管同步性实验的一般性方案。实验结果表明:在工作电压确定的情况下,晶闸管的触发时延与门极触发电流有关,触发电流的峰值越大,前沿越陡,导通越快,触发时延越小;触发时延是可控的,可以通过调整触发电流对串联的各晶闸管进行阶梯型串联实验,逐步调整时延参数并实现4只晶闸管串联的同步强触发导通(对于微秒级导通过程,触发的同步性控制在30 ns以内)。改进后的间接光触发系统和强触发技术,能有效地改善晶闸管的导通特性和同步性,对扩大晶闸管在脉冲功率中的应用具有重要意义。
【作者单位】： 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室;
【关键词】： 晶闸管 串联 强触发 同步导通 延时 光纤
【正文快照】： 0引言1晶闸管具有易于控制、体积小、通流能力强等优点[1-3],国内应用较成熟,尤其在高压直流输电领域[4-8],但是在脉冲功率领域的应用还比较少[9-10]。受晶闸管制作工艺的限制,目前主流晶闸管单只耐压普遍不高,断态不重复峰值电压2.5~3 k V,而耐——受更高电压的晶闸管通常单

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本文编号：420055