量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响

发布时间：2017-06-04 20:02

  本文关键词：量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响，，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下:在低温(13 K)大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为BA≈C;在高温(300 K)小电流下,随着电流密度的增大,样品EL谱的峰值波长蓝移程度的大小依次为ABC。在同一电流下,随着温度的升高,样品在大部分电流下的EL谱峰值波长出现"S"型波长漂移,在极端电流下又表现出不同的漂移情况。这些现象与局域态、应力、压电场、禁带宽度等因素有关。
【作者单位】： 闽南师范大学物理与信息工程学院;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;
【关键词】： 垒结构 绿光LED 电致发光 硅衬底 MOCVD
【基金】：国家科技部支撑计划(2011BAB32B01)资助项目
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 1引言近年来,Ga N基半导体器件尤其是In Ga N/Ga N LED在晶体生长、器件制备等方面取得多项重大技术突破[1-4],已广泛用于各种显示、背光和家用照明等领域。硅衬底具有价格便宜、易获得大尺寸等优势,有利于降低半导体照明的成本;但是Si和Ga N有很大的晶格失配(17%)和巨大的热

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