一种浸渍式钨酸盐阴极的制备与发射性能

发布时间：2017-06-05 19:02

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【摘要】：本文开展了活性物质为钨酸钡锶的浸渍式钨酸盐钡钨阴极的研究,主要包括钨酸钡锶盐的合成,浸渍式钨酸钡锶阴极的制备及其发射性能的测试。实验结果表明:在1400℃空气气氛中合成了主要相为Ba_3WO_6及Ba_2SrWO_6的钨酸钡锶盐。在1800℃浸渍该钨酸盐与氢化锆的混合物成功制备了浸渍式钨酸盐阴极,阴极发射性能测试结果表明在1050℃_(br)和1000℃_(br)时直流发射电流密度分别为7.54和4.30 A/cm~2。
【作者单位】： 中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室;中国科学院大学;
【关键词】： 钨酸盐阴极 钨酸钡锶 X射线衍射分析 发射电流密度
【分类号】：TN103
【正文快照】： 作为真空电子器件的核心部件,阴极必须具备发射电流大、工作温度低、蒸发率小、寿命长等特点。目前在真空电子器件中应用最为广泛的是氧化物阴极及浸溃覆膜钡钨阴极。随着真空电子器件向高功率、高频率、高可靠及长寿命方向的发展,要求进一步提高阴极的发射电流密度、降低阴极

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