协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法
发布时间:2017-06-05 23:11
本文关键词:协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法,,由笔耕文化传播整理发布。
【摘要】:文章考虑了晶体管堆叠效应对串联晶体管的信号占空比和开关概率的影响,提出了一种更精确的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)和热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应的老化模型,并引入综合考虑信号占空比和开关概率的W值,根据W值的大小对输入信号重排序,以减小PBTI和HCI效应引起的电路老化。结果表明:与Hspice仿真结果相比,原有模型的平均误差为3.9%,而文中所提模型的平均误差能减小到1.4%;利用W值排序法进行晶体管输入信号重排序,逻辑门的寿命平均提高11.7%。
【作者单位】: 合肥工业大学电子科学与应用物理学院;合肥工业大学计算机与信息学院;
【关键词】: 晶体管老化 正偏置温度不稳定性(PBTI) 热载流子注入(HCI)效应 堆叠效应 占空比 开关概率
【基金】:国家自然科学基金资助项目(61371025;61474036;61274036)
【分类号】:TN32
【正文快照】: 随着互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor,CMOS)器件工艺尺寸的不断减小,晶体管老化成为影响电路工作寿命的主要原因。当器件工艺尺寸减小到45nm以下时,高K栅介质材料将逐渐替代传统的SiO2来满足低栅漏电流和低功耗的要求。然而高K材料的使用会使正
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本文编号:424842
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