退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响

发布时间：2017-06-08 16:14

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【摘要】：非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。
【作者单位】： 上海交通大学电子工程系;
【关键词】： 非晶铟钨氧 薄膜晶体管 退火温度 氧空位 表面粗糙度
【基金】：国家自然科学基金面上项目(61474075);国家自然科学基金重点项目(61136004)资助
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： 1引言自本世纪初以来,以非晶氧化物半导体(AOS)为有源层材料的薄膜晶体管(TFT)器件因为具有场效应迁移率大、亚阈值摆幅小和大面积均一性好等优点而逐渐被普遍认为将有可能取代非晶硅薄膜晶体管并成为下一代平板显示(FPD)的有源矩阵驱动电子器件[1-9]。其中,非晶铟镓锌氧(a-IG

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