GaN电子结构与光学性质的第一原理研究

发布时间：2017-06-08 17:00

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【摘要】：采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质.计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符.
【作者单位】： 延安大学物理与电子信息学院;
【关键词】： GaN晶体 电子结构 密度泛函 光学性质
【基金】：陕西省教育厅专项科研基金(2013JK0917) 延安大学青年科研基金(YDK2015-44)
【分类号】：TN304.2;O469
【正文快照】： 氮化镓(Ga N)是Ⅲ-Ⅴ主族化合物半导体材料,1928年由Johnson等人合成,现已成为第三代半导体材料的代表.Ga N具有直接带隙宽、热导率大、击穿电压高、耐高温、物理和化学稳定性好等特点[1-2],其物理性质引起了科研人员的高度关注,成为半导体材料和光电子器件的研究热点[3].目前

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本文编号：433117