p型GaAs欧姆接触性能研究

发布时间：2017-06-09 09:15

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【摘要】：为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10~50 nm范围、Pt厚度在30~60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研究了退火参数对欧姆接触性能的影响,同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明,Ti厚度为30 nm左右时接触电阻率最低,接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加;欧姆接触质量对退火温度更敏感,退火温度达到510℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构,合金条件为420℃,30 s可以形成更好的欧姆接触。
【作者单位】： 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【关键词】： 半导体器件 欧姆接触 接触电阻率 合金
【基金】：国家自然科学基金项目(No.11204009) 北京市自然科学基金项目(No.4142005) 北京市教委创新能力提升计划项目(No.TJSHG201310005001)资助
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 1引言欧姆接触是半导体器件设计和制造过程中关键技术之一,欧姆接触质量直接影响器件的性能和可靠性[1-3]。良好的欧姆接触要求接触电阻率低,表面形貌均匀,金属材料向内部扩散深度浅。低接触电阻率有利于降低器件的阈值和产生较少的热量[4];均匀的表面形貌避免了器件在大电流

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本文编号：434999