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CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究

发布时间:2017-06-10 01:08

  本文关键词:CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究,由笔耕文化传播整理发布。


【摘要】:采用基于密度泛函理论的CASTEP程序软件包,计算了CdTe和CdZnTe的能带结构和态密度,研究对比了CdTe和CdZnTe的分子内成键机制。结果表明,在CdZnTe中,Cd e_g和Te 5s杂化形成较低的价带,Zn t_(2g)和Te 5_(p_z)杂化形成的π键等构成中间价带,Zn 4s和Te 5_(p_z)杂化形成的σ键等构成导带。Cd 5s和Te 5s不再杂化,导带底向高能级方向移动。
【作者单位】: 北京石油化工学院材料科学与工程学院;北京化工大学材料科学与工程学院;北京理工大学光电学院;
【关键词】Cd Te Cd Zn Te 能带结构 态密度 电子结构
【基金】:北京石油化工学院优秀青年教师和管理骨干培育计划项目(BIPT-BPOYTMB-2014) 国家自然科学基金(51401025)
【分类号】:TN304
【正文快照】: (Received 28 September 2015,accepted 4 November 2015)1引言Cd Te和Cd Zn Te是近年发展起来的一类性能优异的新型半导体材料,由于独特的光电特性使他们广泛应用于发光二极管,太阳能电池以及基于非线性光学材料特性的其他光学器件[1-3]。Cd Te和Cd Zn Te的电子结构特性及成

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本文编号:437071

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