0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究

发布时间：2017-06-10 18:09

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【摘要】：以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性的影响,阐明了击穿特性的失效机理,为器件优化和电路设计提供参考。
【作者单位】： 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
【关键词】： 绝缘体上硅 击穿 栅诱导漏极泄漏电流 体接触 浮体效应
【分类号】：TN386
【正文快照】： 引言绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)器件已经得到广泛的商业应用。SOI因其具有埋氧层,结合浅沟槽隔离(Shallow trench isolation,STI)能够实现器件的全隔离,与传统体硅工艺相比,具有面积更省的优势[1]。薄膜SOI能够减小MOSFET器件源漏结电容,电路工作速度更快。针对薄

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本文编号：439395