溅射压强对a-IGZO薄膜的表面粗糙度、氧空位及电学特性的影响（英文）

发布时间：2017-06-10 20:16

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【摘要】：详细地研究了溅射压强对a-IGZO薄膜的微结构和电学特性产生的影响。AFM分析表明,薄膜的表面粗糙度随溅射压强的增加而增大。XPS分析表明薄膜中氧空位含量随溅射压强的增加而减少。增加表面粗糙度和减少氧空位对a-IGZO薄膜晶体管的特性有着决定性的作用。当溅射压强保持在0.6 Pa时,得到的薄膜晶体管的特性最佳,电子的饱和迁移率和门限电压分别是3.32 cm~2/(V·s)和24.6 V。溅射压强是磁控溅射制备IGZO薄膜及其晶体管的关键影响因素。
【作者单位】： 山东大学;西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室;西安交通大学金属材料强度国家重点实验室;
【关键词】： a-IGZO 薄膜晶体管 溅射压强 氧空位
【基金】：National Natural Science Foundation of China(61372018)
【分类号】：TN304.05;TN321.5
【正文快照】： Copyright?2016,Northwest Institute for Nonferrous Metal Research.Published by Elsevier BV.All rights reserved.Because of the good electrical properties,high opticaltransparency in the visible region,excellent uniformity andlower processing temperature,am

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