一种新型的SOI MOSFET衬底模型提取方法

发布时间：2017-06-10 22:15

  本文关键词：一种新型的SOI MOSFET衬底模型提取方法，，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端,测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法,把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来,并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法,支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立。采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模,测量和模型仿真所得S参数在20 GHz频段范围内得到很好吻合。
【作者单位】： 杭州电子科技大学"射频电路与系统"教育部重点实验室;
【关键词】： RF SOI MOSFET 衬底模型 测试结构 参数提取
【基金】：浙江省自然科学基金项目(LY13F040005)
【分类号】：TN386.1
【正文快照】： 随着集成电路工艺技术的迅猛发展,半导体技术不断向高集成、低功耗、高速度的方向发展,器件特征尺寸日趋减小,器件衬底效应的体硅技术将难以满足上述要求[1],由于SOI(Semiconductor On Insu-lator)器件具有抗辐照、低功耗、高频和耐高温等优点,可以满足航空航天、通信、移动电

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本文编号：440101