压缩应变载荷下氮化镓隧道结微观压电特性及其巨压电电阻效应
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【摘要】:电子器件可控性研究在日益追求器件智能化和可控化的当今社会至关重要.基于第一性原理和量子输运计算,本文研究了压缩应变载荷对氮化镓(Ga N)隧道结基态电学性质和电流输运的影响,在原子尺度上窥视了氮化镓隧道结的微观压电性,验证了其内在的巨压电电阻(GPR)效应.计算结果表明,压缩应变载荷可以调节隧道结内氮化镓势垒层的电势能降、内建电场、电荷密度和极化强度,进而实现对隧道结电流输运和隧穿电阻的调控.在-1.0 V的偏置电压下,-5%的压缩应变载荷将使氮化镓隧道结的隧穿电阻增至4倍.本研究展现了氮化镓隧道结在可控电子器件中的应用潜力,也展现了应变工程在调控电子器件性能方面的光明前景.
【作者单位】: 中山大学物理科学与工程技术学院微纳物理力学实验室;中山大学光电材料与技术国家重点实验室;中山大学中法核工程与技术学院;
【关键词】: 应变调控 GaN隧道结 微观压电性 巨压电电阻效应
【基金】:中国博士后科学基金(批准号:2014M552267) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20110171110022)资助的课题~~
【分类号】:TN304
【正文快照】: 结界面可以形成高浓度高迁移率的二维电子气,广1引言泛应用于高频晶体管和场效应管中[5,6].Ga N已成为现代半导体研究热点领域之一.21世纪以来,基于压电效应和半导体效应的压众所周知,在材料和器件的生产、制备、组装电电子学迅猛发展,2009年已被评为十大新兴科技和加工应用过
【参考文献】
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【二级参考文献】
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【相似文献】
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本文编号:440394
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