IGBT极限功耗与热失效机理分析

发布时间：2017-06-14 09:10

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【摘要】：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最大功耗是安全工作区的重要组成部分,与外部散热装置、内部热阻以及使用工况等有关,而器件手册给出的最大功耗是理想值,难以反映实际工况,若设计不当会造成IGBT热击穿失效。基于对IGBT功耗以及结-壳稳态热阻的温度特性分析,通过联立IGBT功耗的温度曲线和结-壳传热功耗的温度曲线进行热平衡分析,得到了结温的热稳定点、非稳定点以及临界点,由此得到了在临界点处的IGBT极限功耗,对在非稳定点时IGBT结温和功耗间的正反馈关系分析了IGBT热失效机理,最后进行了实验验证。
【作者单位】： 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室;武汉船舶通信研究所;
【关键词】： 绝缘栅双极型晶体管 极限功耗 热平衡 热失效
【基金】：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2013CB035601) 国家自然科学基金重大项目(51490681)资助
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 0引言绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT)是一种综合了功率场效应晶体管(MOSFET)和双极型功率晶体管(BJT)结构的复合型功率半导体器件,具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、饱和压降低、控制电路简单及承受电流大等优点[1]。自20世纪80年代出现

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本文编号：449064