铁电极化调控SnSe薄膜光电性质研究

发布时间：2017-06-18 17:19

  本文关键词：铁电极化调控SnSe薄膜光电性质研究，，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：利用脉冲激光沉积(PLD)技术在铌酸锂基片上沉积SnSe薄膜,研究了不同极化方向的铁电基片对SnSe薄膜光电性质的影响.控制PLD沉积时间,在铌酸锂基片上沉积出不同厚度的SnSe薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的结果显示制备了高取向的单相SnSe薄膜.薄膜横截面高分辨透射电镜结果显示了薄膜具有较高的结晶质量.在无光照情况下,当铁电极化方向指向薄膜时,极化场可向SnSe薄膜中注入电子,使p型SnSe薄膜的电阻增加;当极化方向背离薄膜时,极化场可向SnSe薄膜中注入空穴,使p型SnSe薄膜的电阻降低.当用仅能使SnSe薄膜发生电子-空穴分离的632 nm激光照射时,不同极化方向的样品都表现出光电导增加的现象.当用405 nm激光照射时,不同极化方向的铌酸锂与薄膜界面处发生的电子-空穴分离使SnSe薄膜表现出完全不同的光电导效应.利用能带模型解释了不同铁电极化方向的铁电基片对SnSe薄膜光电导性质调控的机理.
【作者单位】： 哈尔滨工业大学理学院;哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院;哈尔滨工业大学航天学院;
【关键词】： 铁电极化 铌酸锂 SnSe薄膜 光电调控 脉冲激光沉积
【分类号】：O472+.8
【正文快照】： Sn Se作为一种p型窄禁带半导体(约为0.86 e V),可吸收大部分波段的太阳光,在热电器件、光电探测及光伏等领域有着重要的应用前景[1-3].Sn Se是典型的层状结构材料,由(100)晶面族所构成,层间依靠较弱的范德华力来结合,在层平面内具有优于体材料的性质和明显的各向异性.一般情况

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本文编号：460228