有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展

发布时间：2017-06-20 01:09

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【摘要】：重点介绍了电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室在国家自然科学基金资助下开展的有机薄膜晶体管(OTFT)气体传感器方面的研究进展。制备了酞菁铜(CuPc)薄膜为有源层的底栅底接触式结构的有机薄膜晶体管,对器件的制备工艺和结构参数进行了优化,研究了其对H_2S气体的敏感特性。同时制备了P3HT-ZnO纳米棒的复合薄膜、P3HT单层薄膜、P3HT-MoS_2分层膜和复合膜的有机薄膜晶体管气体传感器,系统地分析了OTFT器件的电学性能和气敏特性。
【作者单位】： 电子科技大学光电信息学院;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【关键词】： 复合薄膜 气体传感器 分层薄膜 有机薄膜晶体管 PHT薄膜
【基金】：国家自然基金(61571097,61421002)
【分类号】：TP212;TN321.5
【正文快照】： 1947年12月,美国贝尔实验室用元素锗(Ge)发明了世界上第一个晶体管[1];1962年,文献[2]首次提出了薄膜晶体管的概念,其结构很好地适用于低导电率的半导体材料,器件的源极和漏极直接与导电沟道形成欧姆接触,是栅绝缘器件,并工作于积累模式[3]。有机薄膜晶体管(OTFT)是一种在传统

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