FD-SOI与FinFET互补,是中国芯片业弯道超车机会

发布时间：2017-06-20 11:14

本文关键词：FD-SOI与FinFET互补,是中国芯片业弯道超车机会，，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统,并将FD-SOI与Fin FET作比较,分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
【作者单位】：《电子产品世界》;
【关键词】： FD-SOI FinFET 制造
【分类号】：TN32
【正文快照】： 2016年2月,Soitec宣布上海硅产业投资公司拟入资SOI与Fin FET工艺和应用对比Soitec,促进FD-SOI在中国的商用化。FD-SOI的特点是擅长功耗和成本敏感型应用,擅长数字与混合信号So C集成SOI特点是特殊材料、普通工艺。而Fin FET的特点是普与高性能;而另一条技术路线——Fin FET(3