晶体管微波大信号模型的研究

发布时间：2017-06-20 15:05

  本文关键词：晶体管微波大信号模型的研究，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：在微波功率器件中,晶体管微波大信号的研究,一直是人们关注的问题。本文就对GaAsHEMT大信号进行研究。首先建立了GaAsHEMT的大信号等效电路模型,对其中最重要的非线性元件Ids、Cgs、Cgd建立了理论模型,进行了模拟结果与实验数据的比较,得到了较为满意的结果。最后根据提取出的参数,建立一种新的参数模型。该方法对设计MMIC有着很好的参考价值。
【作者单位】： 西南民族大学电气信息工程学院;
【关键词】： 砷化镓 模型 金属半导体场效应管
【分类号】：TN32
【正文快照】： 0 引言 随着卫星通信、相控阵雷达和电子对抗等技术的发展,微波/毫米波器件及其电路的地位日渐提高,早己引起国际社会的极大关注。为了满足MMIC的设计需要,应该首先建立所用器件的大信号模型,然后利用微波电路CAD软件进行电路设计。精确的半导体器件大信号模型是进行微波单片

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本文编号：465977